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基于紫外光刻的无掩膜激光直写光刻设备，用于晶圆级2D/2.5D微纳结构加工。设备小巧紧凑型设计，无需掩模版，具备高直写速度、高分辨率等特点。采用集成化设计，全自动控制，操作简便，适合实验室科研需求及快速加工、建模或小批量生产。广泛应用于微流控、半导体、生物技术和微电子等研究领域。
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模式
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Nano
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Standard
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X
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最小特征尺寸
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0.3 µm
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1 µm
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4 µm
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最小线间距
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0.45 µm
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1 µm
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5 µm
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对准精度 [3σ, nm]
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0.5 µm
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0.5 µm
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1.0 µm
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最大加工速度
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40 mm
2
/min
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900 mm
2
/min
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3000 mm
2
/min
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光源
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405 nm/365 nm
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基材尺寸
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50mm x 50mm 到8'' x 8''，可按照客户要求定制 10'' x 10''
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基底厚度
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0 -12 mm
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最大曝光面积
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50 x 50 mm
2
/ 100 x 100 mm
2
/ 200 x 200 mm
2
(定制)
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联系方式
E-mail
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